Eine neue Methode zur Analyse rauer Siliziumoberflächen kombiniert Rasterkraftmikroskopie (AFM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS). Fehler, die durch Oberflächenrauheit entstehen, sind so besser zu korrigieren. Besonders bei Black Silicon, einer speziellen, nanostrukturierten Siliziumoberfläche, die häufig in der Photovoltaik verwendet wird, liefert die Methode präzisere Ergebnisse. Diese Entwicklungen sind bedeutsam für die Erforschung und Anwendung nanostrukturierter Materialien. [...]